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技术解析：延时、频率合理搭配
超频过程中，为什么调校内存所花时间最长呢？原因就内存参数优化。参数优化的历史可以追溯到SDRAM时代。在那个年代，大家追求的只有CL值，CL＝2就是当时的参数优化目标。到了DDR年代，对于参数的描述变成了4个值，例如：2-2-2-5。但这4个数字所代表的含义到底是什么？简单来说就是CL-tRCD-tRP-tRAS，这个缩写的全程和中文名称如下： 1、CL（CAS Latency） 中文名称为“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，在BIOS中的选项可能为：2、2.5和3。随着DFI NF4主板的出现，还增加了1.5这个极限选项。这个参数很重要，内存条铭牌上一般都有推荐参数。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。 2、tRCD（RAS-to-CAS Delay） 中文为“行寻址至列寻址延迟时间”，一般选项有2、3、4、5，别名有Active to CMD等。对于延迟时间，当然是数值越小，性能越好。
3、tRP（RAS Precharge Time） “内存行地址控制器预充电时间”一般只有2、3、4三个选项。这个参数的名称也比较多，一般有RAS Precharge、Precharge to active几种。tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。 4、tRAS（RAS Active Time） “内存行有效至预充电的最短周期”nForce系列主板对它的调节幅度最大，从1到15都可选择。别名也是最多的： Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。调整这个参数需要结合具体情况而定，推荐参数选项有5，6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况，并不是说越大或越小就越好。 进入了64位时代，内存参数调节又多了一个选项――Command Rate。这个选项就是K8平台超频时所称的“1T、2T”，全名“首命令延迟”，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR内存在寻址时，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分K8主板默认参数都比较保守，采用2T。 如果您觉得单纯的文字叙述不能说明参数优化和延迟的问题，那我们就来看一张理论模型图。从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对延迟的影响。虽说在单周期内的影响并不大，但在实际使用时，每秒要400次以上的周期循环，这种延迟就很明显了。 提高内存频率就是使每秒内循环周期完成的次数增多，加大数据的吞吐量，也就是常说的增加内存带宽。对内存进行超频不像CPU那样简单，最主要的问题是内存颗粒选择问题。不同厂家的颗粒带有不同的超频特性，下面我们就来具体的了解一下。 现在内存已经变成了一种廉价硬件，拥有1GB以上的内存已经不再是件奢侈的事情，下面我们就开始介绍单条512MB和1GB的DDR内存颗粒。 | 
海洋中的激荡，是我一生中最美的瞬间。
发表于 2005-9-19 22:21:00
